台积电2纳米量产提速：GAA技术落地，产能超预期扩增

台积电的2纳米制程已按计划进入量产阶段，首次采用第一代奈米片晶体管技术，在整体性能、功耗控制以及晶体管密度方面实现显著提升。据最新信息显示，预计到今年年底，该工艺的月产能将达到14万片晶圆，超出原先设定的10万片目标，接近3纳米制程在2025年底所达到的16万片月产量水平。

业内人士指出，由于客户订单持续满载，现有产能已接近极限，短期内扩产速度难以匹配需求增长，因此公司不仅上调了3纳米制程的报价，还暂停接受新的3纳米项目投片。为优化产能配置与生产规划，台积电正建议处于产品初期设计阶段的客户直接转向2纳米工艺，以利于后续量产安排与成本管理。

关于2纳米芯片的制造成本，市场传闻其价格并未如外界预想般大幅攀升，单片晶圆报价预计不超过3万美元。尽管相较N3P工艺仍有一定涨幅，但通过优化封装方案及扩大出货规模，整体成本可得到有效分摊。这也是为何逻辑芯片制程升级并未像存储产品那样对终端设备如智能手机的整体成本造成剧烈影响的重要原因。

作为先进制程发展中的关键节点，2纳米不仅是台积电首次导入GAA（环绕式栅极）晶体管架构的起点，更在能效比、运算性能和集成密度上实现跃升。同时，该节点支持N2 NanoFlex DTCO技术，提供更具弹性的标准单元设计选项，使芯片开发者能更精准地在性能与功耗之间取得平衡，进一步优化产品成本结构。