2026年1月4日,据业内消息,即将到来的国际消费电子展上,Intel计划正式发布其代号为Panther Lake的全新处理器,这将是首款基于18A工艺打造的消费级产品。作为近年来最为关键的一次制程升级,18A工艺标志着Intel在半导体技术上的重要突破。
该工艺首次引入了RibbonFET晶体管架构与PowerVia背部供电技术,不仅有助于显著降低芯片功耗,还能有效提升运行频率,为高性能计算提供更强支持。目前,18A工艺已在位于亚利桑那州的Fab 52工厂实现量产,规划月产能可达4万片晶圆,生产良率也已达到预期目标。
此前在10月的一次工厂开放活动中,相关方展示了Fab 52内部先进的极紫外光刻设备,但关于18A工艺的具体细节仍有不少未公开之处。有分析指出,Intel可能已将下一代High NA EUV光刻技术应用于当前产线中,作为其保持技术领先的重要手段。
High NA EUV是当前EUV光刻系统的升级版本,其数值孔径(NA)从0.33提升至0.55,大幅增强了光刻分辨率,能够支持更精细的电路图案化。然而,这项技术的成本极为高昂,单台设备价格高达4亿美元,约合人民币28亿元,较现有EUV设备翻倍不止。
尽管在前几代EUV技术的应用上稍显滞后,Intel已将High NA EUV视为扭转局面的关键,并早在数年前就确认成为该设备的首批客户之一。根据公开信息推测,Intel至少已采购三台High NA EUV光刻机。另有消息称,其实际数量可能达到六到七台,几乎包揽了供应商近几年的全部产能,投入之大远超同行。
值得注意的是,目前Intel尚未启动14A工艺的生产线建设,相关技术仍处于研发阶段。然而公司披露数据显示,每个季度已有超过三万片晶圆通过High NA EUV技术完成制造,相当于每月约一万片的处理能力。这一规模即便对于成熟产线而言也不容小觑,而在研发阶段就投入如此庞大的资源,无疑意味着巨大的资金消耗。
这种做法看似不合常规,因此引发外界猜测:High NA EUV设备很可能已被秘密用于当前18A工艺的生产环节,只是并未对外公开。此举或意在将先进光刻技术作为隐藏优势,在竞争中出其不意地建立壁垒,从而延长自身在尖端制程领域的领先周期。

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