三星加速HBM布局，SK海力士领先份额面临挑战

近年来，全球在生成式人工智能领域的持续加码投资，显著推升了对高性能计算芯片及相关核心组件的需求。其中，英伟达芯片的广泛采用，带动了高带宽存储器（HBM）市场的快速增长，为存储芯片制造商创造了重要发展机遇。SK海力士作为主要供应商之一，凭借为英伟达大量供货，在该领域占据了领先地位。数据显示，今年二季度，SK海力士在全球高带宽存储器市场的份额达到62%，显著领先于其他竞争对手。

然而，市场竞争格局正在发生变化。三星电子正加速在高带宽存储器领域的布局并取得实质性进展。最新消息显示，三星电子当前月产能已提升至17万片晶圆，超过SK海力士的16万片，位居行业前列。产能优势的基础上，三星电子正推进下一代产品的量产准备。据悉，其负责存储芯片与晶圆制造的设备解决方案部门，已完成第六代高带宽存储器HBM4的内部生产准备许可。这一节点标志着产品在性能和良率方面已满足大规模生产的标准，为正式量产铺平道路。

行业分析认为，全球高带宽存储器市场有望在明年下半年迎来技术迭代，从当前主流的第五代HBM3E快速转向HBM4。随着新产品进入量产阶段，三星电子的出货量预计将实现显著增长，明年全年出货量有望达到105亿GB。

高附加值产品的放量出货将对公司整体业绩形成有力支撑。市场预期，受益于HBM业务的强劲表现，三星电子明年营业利润或将达到84万亿至105万亿韩元，相较今年预计的40万亿至42万亿韩元实现翻倍增长。其中，设备解决方案部门将成为主要利润来源，贡献约77万亿至93万亿韩元的营业利润。随着技术升级和产能扩张，企业在高端存储市场的竞争力有望进一步增强。