Intel 3工艺官方深入揭秘：号称性能飙升18％！

Intel官方宣布，其3nm级别的Intel 3工艺已经大规模量产。该工艺主要用于至强6 Sierra Forest能效核版本、Granite Ridge性能核版本，并计划在下半年陆续推出，但不会应用于酷睿系列处理器。

Intel 3是现有Intel 4的升级版，带来了更高的晶体管密度和性能。它支持1.2V电压的超高性能应用，并首次对外代工开放。未来数年内，Intel将继续迭代此工艺。

Intel 3工艺定位为高性能数据中心市场。重点升级包括改进设计的晶体管、低通孔电阻供电电路以及与客户的联合优化等。同时支持0.6V以下低电压和1.3V以上高电压，以实现最大负载时的最优性能。

为了达到最佳性能与密度的平衡，Intel还同时使用了240nm高性能库和210nm高密度库的组合。这使得客户可以根据不同需求，在三种不同的金属堆栈层数中选择：最低成本为14层，性能和成本最均衡为18层，最高性能为21层。

此外，Intel 3工艺中运用更加娴熟的EUV极紫外光刻技术，在更多生产工序中使用了EUV。最终结果是，Intel保证新工艺在同等功耗和晶体管密度下，相比Intel 4带来最多18%的提升！

Intel之前曾表示，Intel 3相对于Intel 4逻辑缩微缩小了约10%，每瓦能效提高了17%。不过，在关键尺寸方面，Intel 3和Intel 4是基本一致的：接触孔多晶硅栅极间距(CPP)都是50nm，鳍片间距、M0间距都是30nm。

值得一提的是，Intel还计划后续推出针对特定需求优化的版本：

- Intel 3-T：引入采用硅通孔（TSV）技术，并对3D堆叠进行优化。

- Intel 3-E：扩展更多功能，如1.2V原生电压、深N阱、长通道模拟设备、射频等，并可用于生产芯片组和存储芯片等。

- Intel 3-PT：基于3-E版本，在性能上进一步提升至少5%，并增加混合键合技术，适用于AI、HPC和通用计算芯片等领域。