台积电1nm工艺成本暴涨 主要是EVU光刻机太耗电

台积电在先进工艺上的布局深远，除了已经量产的5nm、4nm之外，明年重点量产3nm，2nm工艺则会在2025年量产，1nm工艺也已经开始选址工作，有望于2028年实现量产。但是，1nm芯片工厂的投资却惊人的高，对比3nm、5nm工厂大约200亿美元的建设资金，1nm工艺的投资计划高达320亿美元，轻松超过2000亿元，成本要比前面的工艺高多了。

不仅如此，1nm工厂的耗电量也会是个麻烦，相比3nm工厂年耗电量70亿度的水平来说，1nm工厂不会少于80亿度，甚至接近100亿度。预计到了2028年，这个1nm工厂的耗电量就相当于全台2.3%的用电量了，台积电所有工厂将占到全台15%以上，对于供电提出了更高要求。

至于为什么耗电量这么大，一个重要原因就是1nm需要下代EUV光刻机，总功耗将达到2MW，也就是200万瓦的水平。如果一天24小时运转，那么下代光刻机每天就要消耗4.8万度电，这个成本对芯片制造企业来说是非常高的，绝对的电老虎。