2026年全球内存市场持续涨价，成熟制程DRAM与SLC NAND供需失衡加剧

2026年第三季度，全球内存市场持续呈现显著涨价态势。据最新行业预测，成熟制程DRAM产品，包括DDR4，当季价格预计上涨百分之五十；进入第四季度后，涨幅仍将延续，达到百分之十。整体来看，成熟型DRAM与NAND闪存的供应紧张状况不仅未见缓解，反而有进一步加剧趋势。核心动因在于主要存储芯片制造商正加速将晶圆产能向高附加值产品转移，重点投向高带宽内存（HBM）、新一代DDR5以及更高堆叠层数的NAND闪存。

与此同时，DDR5内存的终端价格依然维持强劲上行格局。数据显示，截至2026年8月，DDR5-5600与DDR5-6400规格、单条容量24GB的现货价格环比上升百分之八，同比增幅高达百分之四百八十三。

在细分品类中，单层单元（SLC）NAND闪存的价格走势更为突出。相关机构预计，该类产品在2026年剩余两个季度中，每季度涨幅均将达到百分之五十。

供应端承压的根源在于技术结构变化。HBM芯片需采用三维垂直堆叠工艺，其单位硅晶圆消耗量约为传统DRAM的三倍。每颗HBM裸片内部集成数千个硅通孔（TSV），并需预留大量禁布区，导致实际可用于存储功能的晶圆面积大幅缩减。而人工智能产业对HBM的采购需求仍在快速攀升。最新行业预估显示，至2027年，仅单一厂商就将采购约251亿GB的HBM容量，全行业总需求预计达615亿GB。

在此背景下，面向传统应用的DDR4、SLC NAND及NOR Flash等成熟内存品类的新产能释放极为有限。由于长期供货协议数量稀少，供应商在现货市场的议价能力明显增强，价格主导权进一步向卖方倾斜。

基于上述供需格局变化，多家专业机构已上调相关企业盈利预期，涵盖旺宏电子、华邦电子、力积电与兆易创新等。其中，台湾爱普科技被列为首选标的。