三星加速1.4纳米及增强版研发，2029年量产，力追台积电与英特尔

在1.4纳米先进制程的竞争中，三星曾被认为相较台积电与英特尔稍显滞后。然而最新动态显示，三星正加快研发节奏，全力缩小差距。在近期举行的SAFE Forum 2026技术论坛上，三星正式披露了其1.4纳米工艺的最新进展，并首次公开一项关键升级——同步推进代号为1.4纳米加的增强型迭代工艺。

根据当前规划，三星的1.4纳米工艺预计于2029年进入量产阶段，而1.4纳米加工艺则定于2030年投产。作为对照，台积电的同节点工艺计划于2028年实现量产，二者间存在约一年的时间差。尽管如此，三星的整体推进节奏已与英特尔趋于一致，三方在先进制程领域的技术落差正持续收窄。

提升先进制程良率，是当前行业关注的重点之一。为此，三星已全面采用设计与工艺协同优化策略。该方法强调在不改变既有产线配置的前提下，通过芯片设计与制造工艺的深度联动，系统性提升能效表现、运算性能以及单位面积晶体管密度。

三星指出，随着制程微缩不断逼近物理极限，设计与工艺协同优化的重要性日益凸显。此前，该技术已在第一代与第二代2纳米环绕栅极工艺中成功应用，实测功耗降低达百分之二十六。

在晶圆代工整体布局上，三星采取双轨并行路径：一方面持续推进1.4纳米及1.4纳米加工艺的研发与验证；另一方面，同步加大第三代2纳米环绕栅极节点的投入力度，目标是在2027至2028年间完成量产准备。

市场分析认为，苹果公司未来芯片演进路线对三星形成重要牵引。按照既定规划，苹果在完成两代2纳米工艺后，将转向1.4纳米节点。若三星届时能稳定输出符合要求的高良率晶圆，有望赢得这一关键客户订单，从而在高端代工市场占据更具竞争力的位置。