SK海力士全球首发HBM4E十二层堆叠内存，性能与能效双突破

2026年6月18日，SK海力士正式向主要客户交付新一代面向人工智能应用的高带宽内存HBM4E十二层堆叠样品。

该公司表示，依托在高带宽内存领域长期积累的先发研发实力与成熟量产经验，已成功完成HBM4E十二层堆叠样品的开发与交付。后续将与核心客户协同推进，确保按既定节奏实现规模化量产。

相较于前代HBM4，HBM4E在性能与能效层面实现显著突破。其接口引脚速率最高可达每秒16吉比特，单位能耗降低逾两成，大幅强化了对大规模AI模型训练与实时推理任务的数据吞吐支撑能力。同时，借助全新设计的数据接口与系统架构优化，该产品有效压缩数据传输延迟，在超高带宽运行状态下仍保持优异的稳定性，有望为下一代AI数据中心及超大规模计算平台的整体效能提升提供关键助力。

在制造工艺方面，HBM4E首次应用MR-MUF批量回流模塑底部填充技术，实现在十二层堆叠结构下达成48GB单颗容量，并同步提升芯片堆叠的机械强度与热管理表现。相较HBM4，其热阻下降约百分之十七，保障产品在持续高负载运算场景中维持长期可靠运行。

市场层面，消息发布当日，SK海力士股价在韩国证券交易所上涨百分之四点一七；同期，行业主要竞争者股价微升百分之零点八七。自2026年初至今，该公司股价累计涨幅达百分之二百八十七，反映出资本市场对其在AI存储技术领域持续领先能力的充分肯定。