SK海力士推iHBM新型控温技术，热阻降超30%，突破AI芯片散热瓶颈

2026年5月26日，SK海力士正式推出新型控温散热存储技术iHBM。该技术无需调整高带宽存储芯片的封装结构，即可实现对芯片的直接高效降温，热阻较此前方案降低逾三成。

高带宽存储作为人工智能加速器的关键组成部分，其性能与AI芯片算力的持续跃升高度协同。但伴随算力增长，HBM的功耗与发热量同步攀升，散热瓶颈日趋明显。iHBM通过重构热传导路径与界面材料，在维持原有封装架构不变的前提下显著优化散热能力，使热阻下降超过百分之三十。这意味着在同等计算负载条件下，芯片运行温度明显降低，系统稳定性与长期可靠性因此得到切实提升。

与此同时，另一主要存储厂商正稳步推进HBM4量产进程，HBM4E版本已明确将于2027年启动大规模生产。据行业研究机构预测，2026年内全球主流NAND闪存制造商基本不会新增产能，全年供给仍将处于偏紧状态。在人工智能深度渗透各产业领域的背景下，存储技术的战略价值正被赋予更高维度的定位与更深层次的理解。