三星2026年5月量产HBM4E内存样品，单引脚16Gbps、带宽达4.0TB/s

三星电子计划自2026年5月起启动首批HBM4E高带宽内存性能样品的量产工作，为2027至2028年间的大规模供货奠定基础。

该公司此前在2026年3月举行的全球人工智能技术大会上首次公开展示了HBM4E内存原型，该产品单引脚数据传输速率为16Gbps，理论总带宽达4.0TB/s。业内普遍认为，此次展示侧重于技术可行性验证，尚未进入工程化量产阶段。

HBM4E将采用1c纳米制程的DRAM裸片与4纳米制程的基底裸片进行堆叠，并在互连结构、热管理及信号完整性等关键工艺环节实施优化升级。