英特尔突破氮化镓单片集成技术：全球最薄芯片问世

英特尔近日宣布一项突破性技术进展：依托12英寸氮化镓晶圆，成功研制出目前全球最薄的氮化镓芯片。该芯片所用硅衬底厚度仅为19微米，约为人类发丝直径的五分之一，代表了半导体器件微型化设计的重要里程碑。

更关键的是，英特尔首次实现氮化镓功率晶体管与硅基数字逻辑电路的单片集成。这一整合将运算能力直接嵌入功率管理单元内部，摆脱了对外部辅助芯片的依赖，显著简化系统架构，并大幅减少信号传输过程中的能量损耗。

这一成果回应了当前电子产业的核心诉求——在日益受限的物理空间内，同步提升功能密度、计算性能、功率承载能力、运行速度及整体能效。

经全面验证，新型氮化镓晶体管可稳定承受78伏工作电压，射频截止频率超过300吉赫兹，充分适配高频通信场景；集成的数字逻辑模块运行稳健，反相器开关延迟低至33皮秒，在高温高压等严苛条件下仍保持优异的性能稳定性。

相较于传统硅基CMOS工艺，氮化镓材料在击穿场强、电子迁移率及热导率等关键物理特性上具有本质优势，突破了硅材料固有的性能边界。

英特尔指出，该技术已具备面向实际应用的可靠性基础，有望推动电子设备向更小体积、更高效率方向演进，广泛服务于数据中心、新一代5G及6G通信基础设施等多元领域。