PB级固态硬盘将至，AI-NAND引领存储革命

随着人工智能技术的迅猛发展，存储芯片面临更高要求，高带宽内存成为关键配置，大容量固态硬盘也成为不可或缺的组成部分。目前，相关企业已在积极布局下一代存储产品，其中PB级固态硬盘的研发已进入实质性推进阶段。

在近期举行的OCP 2025会议上，一位来自韩国企业的eSSD产品开发负责人透露了其未来NAND产品的整体战略，宣布将面向人工智能应用推出全新的AIN（AI-NAND）系列产品线。该产品线将根据应用场景细分为多个系列，分别在性能、带宽和存储密度方面进行专项优化。

其中，AIN P系列聚焦极致性能，通过优化存储系统与AI计算之间的交互延迟，显著提升数据处理速度与能效表现。为实现这一目标，研发团队正在同步设计新型闪存结构与主控方案，预计将在2026年底提供首批测试样品。

AIN B系列则专注于提升数据传输带宽。该系列将采用先进的HBF封装技术，通过垂直堆叠多个闪存单元来大幅扩展带宽能力，以满足高强度并行数据读写的需求。

而AIN D系列则以高密度存储为核心目标，致力于在更低功耗和成本的前提下实现海量数据的存储。该系列计划将QLC闪存技术的容量推向全新高度，目标是将固态硬盘的单盘容量从当前的TB级别跃升至PB级别。

这一技术突破有望实现固态硬盘在读写速度上的优势与传统机械硬盘在单位存储成本上的平衡。对于普通用户而言，AIN D系列尤其值得关注。PB级容量意味着超过1000TB的存储空间，相较现有消费级固态硬盘提升逾千倍。如此庞大的容量不仅彻底缓解存储空间焦虑，也在很大程度上稀释了写入寿命的担忧——在近乎无限的容量面前，日常使用对寿命的影响几乎可以忽略不计。