南亚科技加速AI DRAM布局，定制化产品迎战HBM市场

南亚科技正加速在AI DRAM领域的布局，力求在三大原厂集中发力HBM市场的背景下，通过定制化产品争取更多机会。公司高层指出，AI应用对内存提出了四项关键技术要求：高密度先进DRAM、3D TSV硅通孔工艺与多芯片封装技术、HBM设计能力以及逻辑Base Die。

目前，南亚科技已完成高密度先进DRAM技术的部署，并正与合作伙伴共同推进TSV和封装技术的研发。至于HBM设计及逻辑制程Base Die方面，公司将通过战略投资与合作方式加以实现。据悉，其定制化DRAM项目预计最快可在2026年通过验证，并有望于2026年底至2027年间开始贡献营收。

在当前市场环境下，由于三大存储原厂逐步减产或停产DDR3与DDR4，南亚科技正积极承接转移订单。受客户提前备货趋势推动，公司预计将在第三季度完成库存清理，并力争于第四季度实现扭亏为盈。