DDR5内存价格暴涨3–5倍，HBM产能扩张挤占DRAM产线致供需失衡

近期DDR5内存价格大幅上涨，较去年同期涨幅达三至五倍。此次涨价并非源于DDR5自身市场需求显著提升，而是受到高带宽内存HBM产能扩张的连锁影响。

当前，全球主要内存制造商正将大量产线资源转向HBM生产。由于HBM采用多层堆叠架构，单颗HBM芯片所消耗的底层DRAM晶圆产能，相当于三至四颗标准DDR5芯片。在此背景下，三星、SK海力士与美光三大厂商今年均未大幅扩充整体DRAM产能，整体增幅仅约百分之五，且新增产能几乎全部配置于HBM产品线。

数据显示，三星今年HBM出货量预计突破1100亿Gb，较去年的400亿Gb增长超过一倍半；SK海力士亦将HBM产能由去年的1200亿Gb提升至2000亿Gb。仅这两家厂商的HBM产能合计已达3000亿Gb以上，折合约350亿至400亿GB。与此同时，主流AI加速卡已普遍搭载HBM4显存，单卡容量普遍超过400GB，按此测算，上述HBM产能足以支撑约七百万至一千万张AI加速卡的供应规模。

尽管实际出货需考虑良率波动及产品规格差异，但如此庞大的AI硬件产能规划，已实质性挤占了通用型内存芯片的制造资源。在此格局下，面向传统计算平台的DDR5内存产能持续承压，供需失衡直接推动其市场价格走高。