高温超导磁控硅单晶生长技术达国际领先水平

3月17日消息，日前，银川经济技术开发区传来喜讯。3月15日上午，由中国电工技术学会组织，银川经济技术开发区企业宁夏超导泛半导体科技有限责任公司牵头主办的“高温超导磁控硅单晶生长装备、技术及应用科技成果鉴定会”在银川顺利召开。

会上，由中国科学院院士甘子钊领衔的专家委员会对项目进行了全面评估与鉴定。专家们一致认为，该项目突破了传统磁拉单晶技术的限制，成功解决了硅单晶生长过程中多项分析与控制的技术难题，填补了我国在高端硅晶体制造领域的多项空白，其综合性能达到了国际领先水平。

据介绍，该项目的核心创新点在于引入了高温超导磁体技术。科研团队针对高品质大尺寸硅单晶生长的技术瓶颈，成功研发出高温超导磁控硅单晶生长装备。这一技术不仅可将硅片的含氧量稳定控制在5ppma以下，还能使硅棒的头尾利用率提升4%以上，并将生产效率提高12%。目前，项目团队已成功拉制出直径达340毫米的高品质硅棒。

银川经济技术开发区管理委员会进一步透露，大尺寸硅单晶的快速、高稳定性及低含氧量生长技术，能够直接解决12英寸及以上大尺寸高品质硅单晶低成本、规模化生产的问题，从而推动全产业链实现降本增效和技术升级。项目报告显示，宁夏超导泛半导体科技自主研发的高温超导磁控硅单晶生长设备及技术，在硅片含氧量控制、硅棒利用率提升以及生产效率优化等方面表现突出。

中国科学院院士甘子钊高度评价了这一成果：“这是国际上首次将高温超导技术应用于磁控直拉单晶生长领域，为高温超导技术的产业化开创了诸多先河，同时开辟了超导技术产业化的新方向。”