三星Q1业绩创历史新高，HBM利润率暂低于DDR但坚持产能平衡

2026年4月30日，受DRAM内存芯片价格大幅上涨推动，三星电子今年第一季度业绩创下历史最高水平。

财报显示，该公司一季度总营收达133.9万亿韩元，折合约901.3亿美元；营业利润为57.23万亿韩元，折合约385.6亿美元，较去年同期增长756%，较上一季度增长185%。

业绩爆发主要来自设备解决方案部门，该部门涵盖内存、闪存芯片及晶圆代工三大业务。其中，内存与闪存芯片构成核心收入来源，贡献了绝大部分营收与利润。该部门一季度营业利润达53.7万亿韩元，远高于去年同期的1.1万亿韩元，增幅接近50倍；营业利润率攀升至66%。

值得注意的是，本次财报披露了一项与普遍认知相悖的现象：当前市场需求旺盛的高带宽内存（HBM），其盈利水平反而低于传统DDR内存。

造成这一反常现象的原因在于定价机制差异。HBM通常采用年度合约方式确定价格，而DDR内存则实行季度议价。受市场供需关系影响，DDR内存价格连续多个季度持续上扬，由此导致其利润率阶段性反超HBM。

尽管如此，三星明确表示，不会因短期利润差异而将HBM产能转向DDR内存生产。一方面，HBM产能受限，全球供给缺口仍在扩大，预计至2027年，两者利润率差距将逐步收窄；另一方面，公司坚持在AI基础设施建设中保持关键芯片供应的稳定性，强调需兼顾HBM与DDR内存的产能协同与长期平衡。

事实上，维持现有产能结构也符合现实商业逻辑。HBM订单多为长期协议，提前调整可能触发违约责任；同时，若厂商集中转向DDR产能，可能加剧该品类供给过剩风险——当前内存市场价格已出现明显回调迹象。各方均意识到，稳定价格预期比追逐单季高毛利更为重要。只要耐心等待现有HBM合同陆续到期，下一轮提价周期开启后，高附加值产品仍将带来可观回报。