泛林集团推出全球首款钼ALD设备ALTUS Halo与新型蚀刻设备Akara

2月21日，全球领先的半导体设备制造商泛林集团宣布推出一款革命性产品——全球首款钼（Mo）原子层沉积（ALD）设备ALTUS Halo。这款设备已经在逻辑半导体和3D NAND领域获得了早期应用。

ALTUS Halo的问世标志着半导体制造工艺的一次重要突破。在过去二十多年中，钨（W）因其优异的沟槽填充性能，在芯片金属布线与元件互联工艺中发挥了关键作用。然而，随着制程技术的不断进步，钨较高的电阻率逐渐成为限制性能提升的重要因素。相比之下，钼在沟槽填充能力和低电阻率方面表现出色，因此正逐步成为新一代布线工艺的理想材料。而ALTUS Halo正是为实现钼的高效沉积而设计的专用设备。

泛林集团高级副总裁兼全球产品集团总经理Sesha Varadarajan表示：“基于我们在金属化领域的深厚积累，ALTUS Halo实现了过去二十多年来原子层沉积技术的最重大突破。该设备将泛林独特的四站模块架构与最新的ALD技术相结合，能够在大规模生产环境中提供低电阻率的钼沉积。这一技术对于满足未来芯片需求至关重要，例如千层3D NAND、4F² DRAM以及先进GAA逻辑电路等新兴领域。”

美光公司负责NAND开发的副总裁Mark Kiehlbauch也对这一技术给予了高度评价：“通过采用钼金属化集成技术，美光得以在最新一代NAND产品中实现业界领先的输入/输出带宽和存储容量。泛林的ALTUS Halo设备使我们能够将钼材料成功引入量产流程。”

除了ALTUS Halo之外，泛林集团还同步推出了一款名为Akara的等离子体蚀刻设备。该设备采用固态等离子体源技术，能够将等离子体响应速度提升100倍，从而实现更高精度的蚀刻操作。这一技术特别适用于复杂3D结构的制造，可显著提高蚀刻纵横比，进一步推动半导体制造向更精细、更复杂的工艺节点迈进。