全球首发！SK海力士加快推进16Hi HBM3E内存量产

SK海力士加速16Hi HBM3E内存量产准备

据韩媒ETNews报道，韩国半导体巨头SK海力士正加快推进其全球首创的16层堆叠（16Hi）HBM3E内存的量产准备工作。全面生产测试已经启动，为明年年初的产品样机试产以及2025年上半年的大规模量产和供应奠定了基础。

16Hi HBM3E内存在AI训练/推理能力上分别提升了18%和32%。它采用了24Gb DRAM Die和先进的MR-RUF键合技术，并实现了48GB的单堆栈容量。该产品采用的16Hi堆叠技术将在下一代HBM4内存上得到广泛应用。

消息人士透露，SK海力士正在引进和测试生产16Hi HBM3E所需的新工艺设备，并对现有设备进行优化和检修。此外，企业在关键工艺测试方面取得了良好结果。

SK海力士此举表明其对于高品质、高性能内存市场的重视，也意味着该行业将迎来新一代超快存储解决方案。随着人工智能和数据中心需求的增长，这种新型内存将为用户提供更快速、高效的数据处理能力。

预计，16Hi HBM3E内存的推出将进一步推动芯片领域的发展，并满足未来电子产品对存储性能日益增长的需求。