美光最新HBM4E进展顺利 客户对美光HBM3E堆栈反馈良好

据外媒报道，美光公司最新发布了其HBM4和HBM4E项目的进展情况。HBM4采用2048位接口的内存计划于2026年开始大规模生产，而HBM4E将在后续几年推出。与HBM4相比，HBM4E提供了更高的数据传输速度，并可以根据需求定制基础芯片。

美光公司总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示：“HBM4E的推出将改变存储行业，它将提供定制逻辑基础芯片的选项，借助台积电先进的工艺，我们将能够为特定客户提供定制化解决方案。”

美光公司还透露了对英伟达Blackwell处理器8-Hi HBM3E设备出货全面展开、12-Hi HBM3E堆栈正在进行测试等信息，并表示主要客户反馈良好。Mehrotra补充说：“我们继续收到主要客户对美光H