英飞凌实现全球首个 300mm 功率氮化镓 GaN 晶圆技术

英飞凌成功开发出全球首个300mm（12英寸）功率GaN晶圆技术，并在现有的可扩展大批量制造环境中掌握这一突破性技术。与200mm晶圆相比，300mm晶圆上的芯片生产在技术上更先进、效率更高，更大的晶圆直径可以提供约2.3倍的芯片面积。GaN基功率半导体正迅速应用于工业、汽车、消费、计算和通信应用领域，包括AI系统电源、太阳能逆变器、充电器和适配器以及电机控制系统。通过可扩展性确保了上级客户供应稳定性。

英飞凌科技股份公司CEO Jochen Hanebeck表示：“这项技术突破将改变行业游戏规则，使我们能够释放氮化镓的全部潜力。在收购GaN Systems近一年后，我们再次证明我们决心成为快速增长的GaN市场领导者。”

据了解，在奥地利菲拉赫（Villach）的功率晶圆厂中，英飞凌利用现有的300mm硅生产线成功地在集成中试生产线上制造出300mm GaN晶圆，并利用其在现有300mm硅和200mm GaN生产线上成熟能力来满足市场需求。