苹果正在考虑在iPhone中使用QLC NAND闪存来增加存储容量

根据7月22日的市场研究报告，苹果公司正在考虑使用QLC NAND闪存来提高iPhone产品的存储容量，最早可能在2026年应用于其中。QLC NAND是一种四层单元的闪存技术，每个单元可以存储4bit数据，与TLC相比，其储存密度提高了33%。虽然QLC NAND适用于大容量应用和消费电子产品，但它的耐久度较低，并且通常需要100到1000次写入循环才能达到P/E Cycle（Program Erase Cycle）。

苹果公司已经在探索如何将NAND闪存用于语言模型存储而不是内存，这样就可以在本地运行更多的AI任务。因此，过渡到QLC NAND可能会改善Apple Intelligence的表现。

总结起来，在未来几年中，我们可能会看到更多iPhone和其他苹果产品使用高密度、低成本的QLC NAND闪存来提升其存储容量和性能。