谦合益邦全球首发4层3D存算一体芯片，突破内存墙实现十倍性能跃升

2026年8月21日，谦合益邦宣布其自主研发的全球首颗4层3D DRAM堆叠存算一体芯片顺利完成回片并成功点亮，正式由技术验证阶段转入工程化落地阶段。

该芯片基于谦合益邦原创的三维集成原生计算架构，首次在全球范围内实现4层DRAM在垂直方向上的高密度堆叠，将计算单元与存储单元在三维空间内深度协同，从根本上突破传统二维平面架构所面临的“内存墙”制约。

芯片采用“4+1”三维堆叠结构：以逻辑层为基底，在其上方垂直集成4层DRAM。这一设计显著拓展了存储带宽与容量上限——堆叠层数越多，可支撑的大规模并行计算与高并发数据流处理能力就越强。

但每新增一层堆叠，均带来良率控制、长期可靠性及热管理等多方面工程挑战的指数级攀升。层间对准精度、垂直互连的一致性、以及三维结构下的高效散热，每一项指标均逼近当前设计与制造工艺的极限。

此次“4+1”架构的成功实现，标志着谦合益邦已全面攻克4层三维堆叠的关键工程壁垒，也代表我国在三维集成存算一体芯片领域取得实质性重大进展。

依托全新架构，芯片在四项核心性能指标上实现同步跃升：数据访存带宽提升十倍，访存功耗与延迟降低十倍，单位时间数据处理吞吐量提高十倍，单次运算成本亦下降十倍。这一系统性性能突破，为云游戏等对并行算力与实时数据吞吐高度敏感的应用场景，提供了全新的硬件加速路径。

谦合益邦成立于2024年1月，由网易孵化，是国内最早专注于3D存算一体架构、三维集成原生芯片设计及云游戏专用加速芯片研发的企业之一。

其核心团队自2018年起即启动基于3D DRAM的存算一体芯片研发与量产探索。彼时，“存算一体”尚处于学术构想阶段，团队已率先布局，历经六年持续迭代、多轮流片验证与架构优化，构建起具备行业领先性的技术护城河。

目前，从架构定义、前后端设计，到先进3D封装及晶圆制造环节，谦合益邦已联合国内产业链上下游伙伴完成全链条贯通，实现关键技术自主可控。

近期，公司完成超20亿元B轮融资。长期股东网易有道与中国移动链长基金已在业务层面展开深度协作，为芯片的规模化部署提供明确的应用场景与真实需求支撑。