开普勒计算发布铁电三维内存技术，突破HBM供应瓶颈

2026年9月10日，一家名为开普勒计算的芯片初创公司正式结束长达七年的潜行研发阶段，对外公布其突破性内存技术成果。该公司由前英特尔资深专家萨西·马尼帕特鲁尼联合创立，核心创新在于融合三维堆叠工艺与自主研发的铁电材料，构建全新内存架构。

据披露，该技术无需依赖极紫外光刻设备，即可显著提升高带宽内存与静态随机存取存储器的单位面积存储密度，有望为当前全球高带宽内存供应紧张局面提供实质性缓解路径。

开普勒计算成立于2018年，总部设于加利福尼亚州圣何塞，创始团队由物理学家与计算机科学家共同组成。首席执行官德博·奥劳塞比坎拥有康奈尔大学物理学博士学位，曾长期在国际知名研究机构从事自旋电子器件开发；首席技术官萨西·马尼帕特鲁尼为自旋逻辑器件领域重要贡献者之一，系磁电自旋轨道逻辑技术的联合发明人。

截至目前，公司已完成总计4.68亿美元的融资，折合人民币约31.72亿元。投资方涵盖产业资本与专业财务资本两类：在芯片产业链侧，英特尔资本与超威半导体风险投资部门参与支持；在财务投资侧，贝莱德旗下巴莱格里菲斯基金及盖茨前沿基金亦位列其中。此外，格罗方德不仅出资5000万美元（约合人民币3.39亿元）成为股东，还确立为制造合作方。今年7月，美国商务部亦宣布将为其提供最高达2.45亿美元（约合人民币16.60亿元）的专项支持资金。

公司强调，其技术路线可规避新建内存晶圆厂所需的巨额投入——传统方案动辄需耗资200亿至400亿美元（约合人民币1355亿至2711亿元）。依托新材料体系与三维集成工艺，仅需对现有产线进行适应性升级，即可实现高带宽内存产能的有效扩充。

技术验证工作已在约2000片晶圆上完成。按规划，首批高带宽内存样品将于本年度晚些时候交付客户；2027年内启动新加坡基地的规模化扩产；至2028年，美国本土生产基地将正式投入运行。

然而，向大规模量产转化仍存在现实工程障碍。格罗方德相关技术负责人指出，开普勒所采用的复合材料含铁元素，而铁在半导体制造环境中属于高度敏感污染源，常规产线难以兼容。后续量产必须依托专用设备，或对整套制程实施全封闭式隔离，以确保生产环境洁净度不受影响。