三星突破NAND擦除脉冲技术，3D TLC闪存耐久性提升43%

2026年7月16日，固态硬盘所依赖的NAND闪存技术长期面临写入寿命受限的问题。随着TLC与QLC架构在消费及企业级市场广泛应用，这一挑战愈发突出。近期，三星公布一项关键性技术突破，可使3D TLC闪存的耐久性提升43%。

NAND闪存的物理特性决定了其存在有限的擦写次数。每次写入数据前，必须先对存储单元执行擦除操作，该过程通过施加特定电压脉冲实现。影响寿命的核心参数有两个：施加电压的幅值与脉冲持续时间。当前主流方案采用约20伏电压、单次脉冲时长为3.5毫秒的方式完成擦除。三星的新技术聚焦于优化脉冲时序，在维持电压不变的前提下，将单次擦除脉冲时间缩短至2.5毫秒甚至1.5毫秒。

若以类比方式理解，可将闪存单元视作一座储量固定的矿藏，每一次擦除操作如同一次开采行为；开采力度（即电压）保持稳定，而开采节奏（即脉冲时间）被精准压缩，从而显著降低每次操作对存储单元的物理损耗。正是这一细微但关键的调整，使3D TLC闪存的整体寿命获得43%的实质性提升。

该技术路径仍具备进一步拓展空间。未来通过更精细的脉冲控制、多阶段擦除策略或材料层面协同优化，SSD的寿命实现翻倍乃至数倍增长均具备可行性。

对普通用户而言，1TB及以上容量的SSD已基本无需担忧因写入耗尽导致的失效问题。即便采用TLC或QLC架构，数百次的标称擦写次数也足以覆盖日常多年使用需求；实际中，主控芯片的稳定性往往先于闪存本身成为系统寿命的制约因素。

而在人工智能领域，此项技术意义尤为突出。大模型训练与推理过程中产生海量、高频、持续的数据读写负载，对存储设备的耐久性提出极高要求。三星此次寿命提升，可有效延长SSD在AI基础设施中的服役周期，延缓硬件更替节奏，从而在整体上降低数据中心与算力平台的长期运维成本。