三星与SK海力士暂缓混合键合商用，HBM5或弃用该技术

2026年7月6日，三星电子与SK海力士在推进混合键合技术用于下一代高带宽存储器的过程中，正遭遇多重现实制约，相关技术落地节奏持续放缓。

混合键合作为提升HBM性能的关键路径之一，其全面商用时间表已较原计划显著延后。据行业分析，两家厂商正对混合键合的导入节点进行审慎再评估，即便在HBM5代产品中，该技术仍可能暂不启用。

该技术通过直接连接DRAM芯片间的铜互连结构，省去传统凸点工艺，在理论上有利于降低HBM整体厚度并优化热管理。但近期JEDEC组织正就HBM5规格展开讨论，拟将最大允许厚度上限由现行的775微米放宽至约1000微米。相较之下，HBM3E厚度标准为720微米，HBM4已调整为775微米。厚度容限的扩大，使得混合键合在减薄方面的必要性明显减弱。

与此同时，散热难题正通过更成熟、更易集成的方案得到缓解。三星开发了HPB热通道模块，在封装内部设置独立热传导路径，可有效从堆叠核心区域导出热量；SK海力士则推出iHBM技术，将具备电绝缘特性的导热硅基冷却元件嵌入D2D物理层，据称可使热阻降低逾三成。两家公司均计划自HBM5起，将各自热管理方案投入量产应用。

当前，产业链上下游对16层堆叠HBM的实际需求尚未形成共识。市场主流预期仍将延续至HBM4E阶段，12层堆叠产品大概率继续担当主力角色。由于更高层数堆叠带来的性能增益尚未匹配成本与良率压力，16层及以上结构的产业化动力不足，进一步削弱了混合键合技术的迫切性。

尽管如此，混合键合的研发仍在持续推进。目前HBM4已实现I/O数量翻倍，达到2048个。若后续HBM5E阶段I/O规模再度翻倍至4096个，现有热压合工艺将面临凸点横向扩散加剧、互连密度难以支撑的瓶颈，届时混合键合将成为实现高密度互连的不可替代路径。

综合判断，混合键合短期内难现规模化应用，但从中长期看，当I/O密度迎来新一轮跃升时，该技术仍将构成高带宽存储器演进的核心方向。