澜起科技于2026年7月3日发布公告指出,作为MDB芯片国际标准的核心制定方之一,公司在该领域持续推动技术创新,稳居行业领先位置。
2025年1月,公司成功发布第二代MRCD/MDB芯片。此后连续两个季度出货量实现大幅增长。该产品凭借卓越的性能表现与高度稳定的运行能力,已获得全球多家主流内存模组厂商的批量采用,为后续大规模产业化应用提供了坚实支撑。
公司计划于2026年内完成第三代MRCD/MDB芯片的工程研发工作,进一步强化技术壁垒与市场优势。
目前,全球仅有两家厂商具备DDR5第一代MRCD/MDB芯片量产能力,澜起科技是其中之一,其产品支持最高传输速率达8800MT/s。公司深度参与JEDEC组织主导的MDB芯片国际标准制定进程,贡献关键技术方案。
第三代MRCD/MDB芯片设计目标速率为16000MT/s,较第二代提升25%,在带宽、能效及系统兼容性等方面均有显著优化。
除MRCD/MDB芯片外,澜起科技正同步推进PCIe交换芯片、高速以太网及光互连等多元化技术布局。随着上述新产品陆续迈入规模化商用阶段,叠加整体产品结构持续完善,新业务板块有望成为驱动公司中长期增长的核心动力。

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