三星DRAM与NAND价格暴涨，2026年存储业务盈利激增

2026年6月26日，最新数据显示，三星电子在2026年4月至5月期间的内存出口金额显著攀升。其中，DRAM产品平均销售单价较去年同期增长逾四倍，通用型DRAM价格强劲回升成为主要拉动因素。

价格方面，三星于2026年第一季度将DRAM合约价上调百分之百，第二季度在此基础上再环比上涨三成。以2025年底价格为基准，两个季度累计涨幅约为百分之一百六十。

据市场研究机构统计，2026年第一季度通用型DRAM合约价环比增幅达百分之九十三至百分之九十八。

多家国际投行预测，2026年全年DRAM平均售价将上涨百分之八十八。

行业分析指出，通用型DRAM供应持续紧张是本轮涨价的根本原因。主要厂商持续将产能向DDR5及HBM等先进制程产品倾斜，导致成熟制程产能进一步收缩，加剧了中低端市场的供给缺口。

公开信息显示，单台AI服务器所搭载的DRAM容量为传统服务器的八至十倍；与此同时，通用服务器补库存需求叠加AI个人电脑加速普及，共同推动存储芯片需求持续走高，供需失衡局面不断加深。

NAND Flash价格亦同步进入上升周期。韩国国际贸易相关统计表明，2026年5月该类产品出口额同比增幅达百分之二百零六点八。DRAM与NAND Flash两大品类价格齐升，显著带动三星半导体业务盈利能力提升。

财报数据显示，三星2026年第一季度DRAM与NAND Flash混合平均售价较2025年全年均值激增百分之一百四十六。

韩国本土券商预计，三星2026年第二季度营收约为一百七十九万亿韩元，营业利润接近九十万亿韩元，同比增幅超过十九倍。

业内普遍认为，三星在存储产品领域的议价能力将持续贯穿全年，存储业务将成为集团本年度业绩增长的关键支撑力量。