三星全球首发HBM4E内存样品，带宽超1.5TB/s，2026年6月交付AI芯片厂商

三星电子于2026年6月2日正式向核心客户交付全球首批HBM4E高带宽内存样品。该产品是专为人工智能加速器与高性能计算平台设计的新一代超高速内存，单堆叠容量达16GB，数据带宽突破1.5TB/s，相较前代HBM3E提升约50%。

首批样品已提供给多家主流AI芯片厂商，用于下一代GPU加速器的系统验证与性能测试。三星指出，HBM4E基于先进的1a纳米制程工艺制造，并采用优化后的硅通孔技术，显著提升芯片堆叠密度与互连可靠性。

在关键性能指标方面，HBM4E实现全面升级：单引脚数据传输速率提升至9.6Gbps，较HBM3E的8Gbps提高约20%；堆叠层数由8层增至12层，单堆叠容量实现翻倍；单位带宽功耗效率提升约30%，有助于缓解人工智能数据中心日益增长的能耗压力。同时，该产品集成自适应刷新机制与动态电压调节功能，可根据训练或推理等不同计算负载实时优化功耗表现。

当前全球高带宽内存市场由三家主要厂商主导。据行业分析机构预测，2027年全球存储器市场规模将达1.28万亿美元，其中HBM产品占据重要增长份额。三星此次率先完成HBM4E样品交付，在产品研发节奏上处于领先位置；另一家头部厂商计划于2026年第三季度推出同代产品，第三家厂商预计将于年内启动样品供应。