寒序科技联合三星完成亚洲首颗8nm eMRAM边缘AI芯片流片

2026年5月8日，国产AI芯片企业寒序科技宣布，联合三星生态设计伙伴SEMIFIVE，基于三星8纳米嵌入式磁阻随机存取存储器工艺，顺利完成边缘AI芯片的流片工作。

这是亚洲范围内首个实现商业化落地的8纳米eMRAM工艺芯片项目。寒序科技主导全部底层核心技术研发，标志着我国在先进嵌入式存储技术与存算融合架构方向取得关键性进展。

在本次合作中，寒序科技作为核心技术提供方，依托在MRAM定制化开发及存算一体架构方面的长期积累，成功切入三星极为有限的8纳米eMRAM工艺窗口。与常规专用集成电路项目不同，寒序科技全程主导MRAM存储单元设计、外围驱动电路、高带宽读出通路以及面向大模型推理的专用算子加速模块等底层方案；SEMIFIVE则承担后端物理实现与多项目晶圆流片支持工作。双方构建起“底层架构自主可控、国际先进工艺协同落地”的新型合作范式，突破传统标准IP复用模式的技术边界。

技术路径上，该芯片创新采用eMRAM与SRAM协同的混合存储架构，直面AI芯片普遍存在的内存瓶颈问题。通过以嵌入式磁阻存储器替代传统片上静态存储器，显著提升单位面积存储密度，同时大幅降低功耗；结合近内存处理架构与通用矩阵向量乘法计算优化，高效支撑Transformer类大模型的核心推理任务。

芯片实测可稳定运行参数规模达20亿的大语言模型，推理性能达到国际主流端侧AI加速芯片水平，并在存储集成度与能效比两项关键指标上实现领先。应用定位聚焦私有AI智能体、人形机器人等典型端侧场景，亦可无缝接入具身智能系统与云端推理中心，作为GPU加高带宽内存体系之外的高能效补充算力单元。

eMRAM本身具备非易失性、高读写带宽、低静态功耗等优势，无需周期性刷新即可长期保持数据，单元尺寸显著小于同等功能SRAM，特别适配功耗敏感、空间受限的边缘智能终端，为国产端侧人工智能应用提供了坚实可靠的本地算力基础。

此次成果源于寒序科技与北京大学物理学院应用磁学中心的深度协作，在自旋电子器件与存算一体化方向多年技术沉淀的集中体现。