三星加速研发HBM4E内存，2026年5月推英伟达认证工程样品

4月17日，三星电子正加速推进新一代高带宽内存HBM4E的研发与量产准备，以持续强化其在高端人工智能内存领域的市场地位。

公司计划于2026年5月启动首批符合英伟达技术规范的HBM4E工程样品的生产工作。根据内部时间表，其晶圆代工部门将于5月中旬前完成HBM4E基础逻辑芯片（Base Die）的制造，并交付至存储器业务部门，进入后续3D封装环节。

该基础逻辑芯片将与专为HBM4E定制的DRAM芯片共同封装，形成完整的工程样品。封装完成后，三星将开展全面的内部性能验证，确保各项关键指标满足设计目标。通过内部评估后，样品将提交至英伟达进行联合测试与认证。

在技术路线上，HBM4E延续了HBM4的整体架构，DRAM芯片仍采用1c nm制程，基础逻辑芯片维持4nm工艺节点。但三星在材料选择、互连结构及热管理等关键工艺环节实施了多项优化，以进一步提升数据传输效率、能效比与长期运行稳定性。