SK海力士下调2026年HBM4出货两至三成，转向HBM3E及LPDDR产能优化

4月14日，SK海力士调整其2026年第六代高带宽内存HBM4的出货规划，预计向特定客户供应的HBM4数量将较原定计划减少约两至三成。

此次下调并非源于整体需求萎缩，而是产品结构的主动优化。公司正将部分产能与资源转向HBM3E及面向服务器应用的LPDDR系列新品，确保内存业务总量保持稳定。

业内分析认为，调整背景与下游AI芯片平台的开发进展密切相关。新一代AI芯片Vera Rubin在先进制程导入、良率提升及先进封装技术（如CoWoS）落地等关键环节仍面临阶段性挑战，致使HBM4的实际搭载时间有所延后。

与此同时，当前基于Blackwell架构的GPU出货持续强劲，对HBM3E的需求显著攀升。为满足客户紧迫交付要求，SK海力士已优先调配产能保障HBM3E供应，并适度放缓HBM4的量产节奏。

尽管存在短期节奏变化，市场对高带宽内存的长期增长预期依然稳固。综合行业研判，2026年全球HBM总供应量仍将维持年均约百分之四十的增长态势。

SK海力士全年HBM总出货目标维持在约二百亿Gb，HBM产品线继续为其贡献突出的盈利水平。