美光首发256GB DDR5 RDIMM：9200MT/s、EUV工艺、40%能效提升

美光科技于2026年5月13日宣布，已向核心合作伙伴交付256GB DDR5寄存式双列直插内存模块样品，最高数据传输速率达9200兆次每秒，较当前主流量产DDR5内存提升逾四成。

该内存模块采用美光第六代10纳米级DRAM制程——1-gamma工艺，系该公司首次在DRAM量产中应用极紫外光刻技术。相较上一代工艺，单晶圆产出密度提升超过三成；所制造的16Gb DDR5芯片运行速度提高15%，功耗下降逾两成。

在封装结构上，模块融合三维堆叠与硅通孔互连技术，实现多颗DRAM颗粒垂直集成，在提升单条容量的同时优化信号完整性与传输效率。

能效表现方面，单条256GB模块满载功耗为11.1瓦，显著低于采用两条128GB模块组成的等效方案——后者总功耗达19.4瓦，综合节能幅度超四成。

该产品主要服务于大规模语言模型训练、智能体AI架构及低延迟实时推理等数据中心高密度计算场景，可在既有散热与供电约束下，最大限度扩展每个CPU插槽可配置的内存总量。

美光正协同软硬件生态伙伴，在现役及新一代服务器平台上开展全面兼容性验证，以支撑后续规模化量产与部署。目前尚未公布该产品的正式量产与上市时间。

与此同时，行业标准持续演进。JEDEC组织正积极推进DDR5多路寄存式内存模块规范，目标将内存带宽上限提升至12800兆次每秒，以更好适配人工智能时代对内存性能提出的更高要求。

关于256GB DDR5 RDIMM模块的官方定价，美光暂未对外披露。参考当前市场同类256GB DDR5服务器内存模组行情，单条售价普遍处于五万至六万元区间。