三星SK海力士2026年2月量产HBM4，AI芯片竞争进入新阶段

2025年12月26日，据韩国媒体报道，三星计划于2026年2月启动HBM4芯片的大规模量产，其主要竞争对手SK海力士也将在相近时间开启量产进程，此举标志着全球内存半导体产业迈入一个全新阶段。

行业内部消息称，SK海力士将自明年2月起，在位于韩国京畿道利川的M16工厂以及清州的M15X工厂全面展开HBM4生产。与此同时，三星也将于同期在平泽园区正式启动该产品的量产工作。

此次HBM4的推出并非简单的性能迭代，而是代表了向定制化产品转型的关键转折点。SK海力士选择与台积电合作，采用12纳米制程工艺制造HBM4的基底芯片，使其带宽相较前代产品提升至两倍水平，同时能效比提高超过40%。

三星则依托其一站式解决方案和先进的制程技术积极应对市场竞争，率先导入10纳米级工艺，并在内部测试中实现单颗芯片11.7Gbps的数据传输速率，达到行业领先水平。基于这一技术优势，三星有信心将量产节点锁定在明年2月。

据悉，三星所生产的HBM4芯片将主要用于支持英伟达下一代人工智能加速器系统“Vera Rubin”，该系统预计于2026年下半年正式发布。此外，部分芯片也将供应谷歌，用于其第七代张量处理单元的研发与部署。

市场信息显示，三星与SK海力士在未来一年内的HBM系列产品产能已被提前预定完毕。当前各大人工智能企业正加紧采购存储资源，亚马逊、谷歌、微软及OpenAI等公司可能面临关键元器件供应紧张的局面。