2025年10月23日,美光公司于美国爱达荷州宣布,已向客户交付基于最新1-gamma工艺制程的LPDDR5x DRAM的192GB SOCAMM2内存模组样品。该新型模组数据传输速率可达9600MT/s,在容量上较初代SOCAMM提升50%,同时DRAM裸芯片级别的能效提高超过20%。
针对数据中心人工智能系统应用,192GB SOCAMM2在实测中可将首Token响应延迟(TTFT)缩短80%以上。在Vera Rubin NVL144机架式系统中,借助每系统配置36颗CPU、每颗CPU搭配6根SOCAMM2模组的架构,可实现超过40TB的CPU内存总容量。
美光高级副总裁兼云存储业务部门总经理Raj Narasimhan表示,随着人工智能工作负载的持续演进,对算力和能效的要求不断提高,数据中心服务器亟需提升单位功耗下的数据处理能力。美光在低功耗DRAM技术领域的领先优势已得到广泛验证,此次推出的SOCAMM2内存模组兼具高带宽、高能效、大容量与数据中心级可靠性,充分满足新一代人工智能数据中心服务器的核心需求。

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