美光近日宣布,已开始向合作伙伴提供全球首款基于1γ制程节点的LPDDR5X内存样品,该产品专为提升高端智能手机在人工智能方面的性能而设计。
1γ制程属于第六代10纳米级别的DRAM制造工艺,其特征尺寸大约在11至12纳米之间,在韩国半导体业内通常被称为1c DRAM。
此次推出的1γ节点LPDDR5X内存是当前市场上最先进的低功耗DRAM产品之一,主要面向移动设备市场。目前,美光正向部分客户供应搭载该工艺的16GB LPDDR5X内存样品,并计划于2026年推出涵盖8GB至32GB容量的完整产品系列,以满足旗舰级智能手机的多样化需求。
新款LPDDR5X内存的数据传输速率高达10.7Gbps,处于行业领先水平,同时其能耗相比前代产品进一步降低,最高可实现20%的功耗优化。
为适应智能手机日益轻薄化的设计趋势,美光对LPDDR5X内存进行了超薄封装,厚度仅为0.61毫米,比同类产品平均薄6%,较上一代产品更是减少了14%。
值得一提的是,该款LPDDR5X内存是美光首款采用极紫外光刻(EUV)技术打造的移动内存解决方案,标志着公司在先进制程领域的关键突破。
与此同时,美光在韩国的竞争对手三星和SK海力士也正在加快各自1c DRAM的研发进程。SK海力士已于今年年初完成1c DDR5内存的大规模生产认证,而三星则将其第六代10nm级别DRAM的开发目标时间设定为2025年中期。

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