全新DDR5内存芯片组解决方案来袭！带35%的内存带宽提升

11月21日，日本瑞萨电子宣布推出面向第二代DDR5 MRDIMM（12800MT/s）的完整接口芯片组解决方案。该方案包括新款MRCD、MDB和PMIC芯片以及配套的温度传感器与SPD集线器。与目前8800MT/s的初代产品相比，下一代DDR5 MRDIMM实现了35%的内存带宽提升。

瑞萨此次推出的三款面向第二代DDR5 MRDIMM的全新关键组件为：多路复用寄存时钟驱动器（MRCD）芯片RRG50120、多路复用数据缓冲器（MDB）芯片RRG51020、PMIC芯片RRG53220。这三款芯片已开始样机制作，并计划于2025年上半年投产。

在功耗方面，相较于第一代产品，第二代MRCD芯片RRG50120降低了45%。另外，专为DDR5 MRDIM设计的第二代PMIC芯片RRG53220提供了出色的电气过压保护和卓越能效，并针对高电流及低电压操作进行了优化。

瑞萨公司高管Davin Lee表示：“随着AI和HPC应用对更高性能系统的需求持续增长，我们紧跟这一趋势，与行业领导者携手开发下一代技术及规范。这些公司依靠我们提供的专业技术知识和生产能力来满足日益增长的需求。”他进一步指出，“面向第二代DDR5 MRDIM的最新芯片组解决方案体现了我们在这一市场领域内的卓越地位”。