近日,半导体公司NEO Semiconductor宣布推出3D X-AI芯片技术,旨在取代现有DRAM芯片,以提升人工智能处理性能并大幅降低能耗。该技术集成了8000个神经元电路,并直接在3D DRAM中执行AI任务,实现了AI性能的显著加速,达到100倍。
这项创新性的技术不仅能够大幅度减少数据传输需求,使得功耗降低了99%,有效解决了数据总线的功耗和发热问题。同时,NEO Semiconductor的3D X-AI芯片还带来了8倍的内存密度。每个3D X-AI芯片包含300个DRAM层,支持运行更大规模的AI模型。
NEO Semiconductor创始人兼首席执行官Andy Hsu指出,在当前AI芯片架构中,数据存储与处理的分离导致了性能瓶颈和高功耗问题。而通过在每个HBM芯片中执行AI处理,3D X-AI芯片显著减少了HBM和GPU之间传输的数据量,从而提高性能并降低功耗。
行业分析师Jay Kramer认为,3D X-AI技术的应用将加速新兴AI用例的开发,并推动新用例的创造,为AI应用创新开启新时代。
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