通用内存芯片或出现供应短缺 内存芯片产能不足

近日，存储芯片产业界传来了一个令人担忧的消息。据报道，通用型DRAM内存芯片可能会面临供应短缺的问题。这一问题的出现是由于业界对高带宽存储（HBM）等类型的DRAM进行了大量的投资，而通用型DRAM的产能利用率相对较低。目前，三星和SK海力士的产能利用率仅为80%到90%，远低于NAND闪存的全速生产状态。

此次供应短缺信号可能预示着DRAM内存芯片的价格上涨。自2024年初以来，通用型DRAM的产能仅提升了大约10%，但智能手机、PC和服务器市场的增长率预计仅为2%到3%。全球云计算和科技公司在AI基础设施上的投资削减，并未能显著推动DRAM需求的复苏。

然而，在同一时期内，企业级固态硬盘（eSSD）的需求却因人工智能的普及而激增。因此，三星、SK海力士等主要制造商在第二季度满负荷运行其NAND生产线。此外，铠侠也在市场条件改善后结束了减产，NAND产能利用率恢复至100%。

尽管业界对通用型DRAM需求反弹持谨慎乐观态度，但这一可能性很大程度上取决于终端设备AI能力的普及程度。PC制造商和智能手机厂商，如三星和苹果，正在积极探索AI技术在各自产品中的应用，以期带动市场需求。