澜起科技率先试产CXL®3.2内存扩展控制器

澜起科技今日宣布，率先在业界试产CXL®3.2内存扩展控制器（MXC）芯片。该产品面向人工智能、云计算、数据中心等场景的内存扩展与资源池化需求，旨在通过CXL技术助力客户构建更大容量、更高利用率、更加灵活的内存基础设施。

澜起科技率先试产CXL3.2内存扩展控制器

澜起科技的CXL3.2内存扩展控制器支持CXLType 3规范的CXL.mem和CXL.io协议，基于PCIe®6.x和CXL3.2协议设计，最高支持64?GT/s数据传输速率。产品集成双DDR5内存控制器，可支持最高8000MT/s的DDR5内存，通过将主机侧CXL内存请求实时转换为DDR访问命令，实现主机与后端内存间的高效数据交互，从而突破传统服务器的内存容量限制。

此外，该芯片集成了PCIe6.x PHY、DDR5PHY、双RISC-V处理器子系统及丰富的管理接口，可支持开发PCIe标准插卡（AIC）、EDSFF等多种形态的CXL内存扩展产品，为内存扩展、内存池化和分层内存架构等新型内存应用提供关键支撑。

澜起科技总裁StephenTai先生表示："率先在业界试产CXL3.2MXC芯片，是澜起科技推动CXL技术创新和产业化发展的重要里程碑。面对AI时代持续增长的内存需求，我们为客户提供兼具高带宽、大容量和高可靠性的内存扩展解决方案，加速CXL技术在数据中心和AI基础设施中的规模化落地。"

除芯片外，澜起科技还同步提供完整的软件设计套件(SDK)及分析测试工具，助力客户快速完成产品开发、兼容性验证及量产导入。目前，澜起科技CXL3.2MXC已成功导入三星、SK海力士等业界主要内存模组厂商的下一代CXL产品中，并已完成初步验证。该解决方案支持Intel®Xeon®、AMDEPYC™等主流服务器平台，实现广泛的互操作性和卓越性能。

客户与合作伙伴的评价与反馈：

三星电子内存产品规划副总裁JangseokChoi表示："CXL3.2MXC与DDR5内存技术的结合，为数据中心客户提供了兼顾性能与容量的解决方案。双方合作成果验证了CXL技术在提升系统内存容量和资源利用效率方面的应用价值，也为下一代AI基础设施建设提供了更多选择。"

SK海力士下一代产品规划与标准负责人UksongKang认为："随着大模型和生成式AI应用的快速普及，内存已成为系统性能的关键因素。澜起科技MXC产品在支持高容量内存扩展和资源共享方面展现出良好的应用前景，我们期待未来在生态验证和产品创新方面展开更深入的合作。"

英特尔高级研究员兼首席I/O架构师DebendraDas Sharma博士表示："人工智能、下一代云系统以及当今的行业经济格局正在重塑服务器内存架构，并推动对CXL的需求。澜起科技CXL3.2 MXC展示了日益成熟的CXL生态系统如何提供协议支持、兼容性和性能，助力释放下一代英特尔至强平台的内存扩展能力。"

AMD计算与企业AI平台解决方案工程副总裁AmitGoel指出："人工智能和数据中心工作负载正推动系统架构持续演进，内存已成为影响性能与扩展能力的关键因素。我们期待与澜起科技在CXL技术领域持续合作，为构建更加灵活高效的内存架构奠定基础。"

市场活动预告

澜起科技将携CXL3.2 MXC产品亮相美国CXLDevCon和FMS展会，诚邀各位客户朋友、业界同仁及合作伙伴莅临参观交流，共同探讨行业发展趋势与合作机遇！

CXLMini DevCon

时间：2026年8月3日

地点：美国圣克拉拉万豪酒店(SantaClara Marriott)

FMS

时间：2026年8月4-6日

地点：美国圣克拉拉会展中心(SantaClara Convention Center) 展位号#845