三星2029年量产混合键合HBM，协同英伟达Feynman GPU发布

三星预计将于2029年开始量产采用混合键合技术的高带宽内存芯片，该时间点将与英伟达下一代Feynman人工智能图形处理器的发布节奏保持协同。

混合键合是高带宽内存制造领域的前沿工艺，其核心在于取消传统DRAM堆叠中使用的微凸点结构，从而显著压缩芯片层间间距，实现更紧密的物理连接。相较现有微凸点互连方式，该技术可提升数据传输速率、降低功耗，并增强信号完整性，被广泛视为高带宽内存演进的关键路径。

为推进这一技术落地，三星已向荷兰一家半导体设备供应商订购五十台混合键合专用设备，首批设备计划于2026年底启动安装，后续产能爬坡将持续至2029年至2030年间，最终实现大规模稳定供应。

此外，三星正同步开发集成逻辑单元的定制化高带宽内存方案，通过三维系统级封装架构，将处理电路直接嵌入内存堆叠内部，以突破传统内存带宽与延迟瓶颈，进一步强化整体计算效率。

Feynman GPU作为继Rubin Ultra之后的新一代人工智能加速器，将深度依赖三维堆叠结构及定制高带宽内存支持，其硬件路线图与三星混合键合技术的量产节奏高度契合。

尽管三星在混合键合领域的量产进度较行业早期预期有所延后，短期内或对其在高带宽内存市场的份额追赶构成一定压力，但选择在2029年这一节点实现技术规模化应用，反映出其战略重心已明确转向支撑下一代人工智能计算平台的长期竞争格局。