三星突破900层3D NAND原型，存储密度跃升引领多维技术竞逐

2026年5月26日，三星电子成功完成900层超高堆叠结构的3D NAND闪存原型开发。

3D NAND技术通过垂直方向上逐层堆叠存储单元，显著提升单颗芯片的存储容量。目前行业主流产品已实现200层以上堆叠，部分厂商计划于2027年量产332层产品。三星此次实现900层原型，标志着单芯片存储密度迈入全新阶段。然而，层数持续攀升带来一系列工艺难题，包括高深宽比蚀刻的精度控制、多层堆叠引发的结构应力累积，以及密集集成下的热管理挑战。该成果进一步巩固了其在先进存储制造领域的技术领先地位。

与此同时，另一家头部厂商推出具备主动温控能力的高带宽存储器技术iHBM，聚焦运行过程中的热量分布与动态散热调节。另有企业依托自主研发的DoB封装架构，跳过传统高层数NAND路径，直接实现122TB容量的企业级固态硬盘。当前，全球存储产业的技术竞争已全面展开：既在垂直堆叠层数上持续突破，也在封装结构、热管理、系统集成等多元维度同步深化创新。