三菲半导体20亿元光芯片基地落户太仓，聚焦磷化铟激光器研发与量产

三菲化合物半导体光芯片制造基地项目近日正式签约落户太仓市城厢镇，项目总投资额为二十亿元人民币。其中，一期工程投资十亿元，计划于今年八月启动建设，预计二〇二八年投入运营。项目达产后，年产值将超过十亿元。

上海三菲半导体有限公司长期聚焦光芯片、电芯片及核心算法的自主研发，已实现高端光芯片稳定量产，月出货量达八十万颗。本次落地项目将重点开展磷化铟激光器与光电探测器芯片、砷化镓激光器芯片的研发与制造。同时，项目将构建涵盖外延生长、光芯片制造及光电融合的一体化产业链，产品主要面向5G通信、数据中心及激光传感等关键应用领域。

光芯片是光通信系统、数据中心互连及激光雷达等技术的核心基础器件。在人工智能算力持续攀升的背景下，八百吉比特及一点六太比特光模块对高频性能提出更高要求，磷化铟材料因其优异的光电特性成为激光器与探测器的首选，而传统硅基及砷化镓材料难以满足相关频段需求。

市场分析显示，二〇二六年全球一点六太比特光模块出货量有望突破一千万只。磷化铟材料正进入规模化应用爆发前期，其上游关键材料——二英寸磷化铟衬底价格已由八百美元大幅上涨至二千三百美元，涨幅达百分之一百八十七。

从整体产业趋势看，中国光芯片市场正处于高速增长阶段。二〇二三年国内市场规模约为一百三十七亿元，预计到二〇二五年将突破一百五十九亿元，占全球市场份额逾百分之三十，迈入新一轮快速发展周期。