2026年Q1存储芯片价格飙升超预期，DRAM与NAND合约价环比涨近九成

2026年4月1日，存储芯片市场价格延续上行态势。自2025年下半年起，价格已出现显著攀升，进入2026年后涨势未止。此前多家市场研究机构曾预测，一季度动态随机存取存储器即DRAM的合约价格环比涨幅将超过百分之八十。

随着一季度临近结束，最新发布的行业报告显示，实际涨幅超出预期。其中，通用型DRAM合约价格环比上涨九十三至九十八个百分点；NAND闪存合约价格则环比上涨八十五至九十个百分点。

展望二季度，相关机构预计DRAM合约价格仍将保持强劲增长，环比涨幅约为五十八至六十三个百分点；NAND闪存合约价格预计环比上涨七十至七十五个百分点。

价格上涨的主要动因在于供需结构持续偏紧。对于DRAM，尽管部分终端市场需求存在放缓迹象，但供应商持续优先保障服务器等高附加值应用的产能供给，整体供应仍处于紧平衡状态，推动价格进一步走高。

在NAND闪存方面，消费类应用受价格敏感影响，需求有所收缩；但企业级固态硬盘、人工智能及数据中心等新兴领域需求旺盛，促使厂商加速调整产能分配，向高景气赛道倾斜，从而支撑价格持续上行。