英伟达指定美光为SOCAMM首家供应商，布局下一代AI内存

英伟达近期决定，将美光科技指定为下一代内存解决方案SOCAMM的首家供应商。这一新型内存专为数据中心中的AI服务器而设计，具有高性能和低功耗的特性，在行业内被一些专家视为“第二代高带宽存储器（HBM）”。

此前，英伟达曾委托多家内存制造商开发SOCAMM原型，其中包括三星电子和美光。最终，美光凭借其在低功耗DRAM技术上的优势，成为首家获得英伟达量产批准的厂商，领先于其他竞争对手。

与通常用于GPU并采用垂直堆叠结构的HBM不同，SOCAMM主要面向中央处理器（CPU），在优化AI计算任务中发挥重要作用。

首批SOCAMM模块基于堆叠式LPDDR5X芯片制造，由英伟达主导设计，预计将在其计划2026年推出的下一代AI加速平台Rubin中使用。该模块采用了引线键合和铜互连工艺，每个模块连接16个DRAM芯片，这与HBM常用的硅通孔技术截然不同。铜互连结构不仅提升了模块的性能，还在散热方面表现出色，对AI系统的稳定运行至关重要。

据称，美光最新的LPDDR5X芯片能效比市场上同类产品高出约20%，这也是其获得订单的重要原因。考虑到每台AI服务器将配备四个SOCAMM模块，总共集成多达256个DRAM芯片，良好的热管理能力显得尤为关键。

业内分析人士指出，SOCAMM具备良好的扩展性，未来有望被广泛应用于英伟达的更多产品系列，包括即将推出的个人超级计算平台项目。

此外，美光在低发热内存技术上的进步，也可能帮助其在竞争激烈的HBM市场中提升地位。随着HBM4标准逐步推进至堆叠12层甚至16层DRAM的水平，如何有效管理热量已成为各厂商技术竞争的核心要素之一。