铠侠计划五年内NAND闪存产能翻倍

6月6日消息，铠侠控股昨日召开经营方针说明会，透露其计划在五年内将NAND闪存的产能提升一倍（以存储容量计算），并在2026年实现下一代NAND闪存产品的量产。

公司表示，为满足AI数据中心对NAND闪存不断增长的需求，未来将通过扩大四日市工厂和北上工厂的产线规模，力争到2029财年实现产能较2024财年翻倍的目标。

同日，铠侠也公布了其中长期经营发展计划。按计划，北上市的第二生产基地大楼将于今年9月建成，随后将引入新的生产设备以提高制造能力，并预计在2026年3月实现新产品的销售额超过现有产品。

铠侠正在研发的下一代存储技术被称为“存储级存储器（SCM）”，其数据读写速度优于传统NAND闪存，在容量方面又显著高于当前用于AI运算的DRAM。因此，该技术与AI芯片搭配使用时，有望进一步释放人工智能系统的性能潜力。