台积电3nm！本田与瑞萨合作的芯片性能炸裂

昨日，日本半导体企业瑞萨电子与本田合作开发的高性能SDV SoC（软件定义汽车）部分技术细节被公布。该芯片计划应用于Honda 0系列电动汽车未来车型，特别针对本十年末推出的车型。

这颗SoC采用台积电的3nm汽车工艺技术（应为N3A制程变体），结合了瑞萨的通用第五代R-Car X5 SoC和本田开发的AI加速器两种芯粒/小芯片单元。该SoC可提供2000TOPs AI算力，并具有20TOPs/W的能效表现，满足自动驾驶等高级功能所需的AI性能，同时保持低功耗。

本田表示其电动汽车将采用集中式E/E架构，以单一ECU控制多种车辆功能。而两家企业合作开发的核心EUC SoC将成为SDV的“心脏”，负责管理ADAS、自动驾驶、动力系统控制以及舒适功能等基本车辆操作。

此次合作中，瑞萨电子与本田开发的这款高性能SDV SoC预计将于本十年末推出。这款SoC将为Honda 0系列电动汽车带来更多的智能化功能和更高的性能水平。