Intel秀出多项代工技术突破：吞吐量暴增100倍！

Intel近日在IEDM 2024（2024年IEEE国际电子器件会议）上发布了多项技术突破。其中，减成法钌互连技术（subtractive Ruthenium）可将线间电容降低25%，对芯片内互连起到改善作用。此外，Intel代工还率先展示了一种用于先进封装的异构集成解决方案，该方案能够提升吞吐量高达100倍，实现超快速的芯片间封装。

除了以上两项技术突破外，Intel代工还在研究硅基RibbionFET CMOS （互补金属氧化物半导体）技术和微缩的2D场效应晶体管（2D FETs）的栅氧化层模块，以提高设备性能。同时，在300毫米GaN（氮化镓）技术方面，Intel代工也制造了业界领先的高性能微缩增强型GaN MOSHEMT（金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管）。这种新型器件可以通过减少信号损失、提高信号线性度和基于衬底背部处理的先进集成方案来提升功率器件和射频器件等应用的性能。

在AI领域，Intel代工认为有三个关键的创新着力点将有助于AI在未来十年朝着能效更高的方向发展：首先是先进内存集成，以消除容量、带宽和延迟的瓶颈；其次是用于优化互连带宽的混合键合；最后是模块化系统及相应的连接解决方案。这些技术创新有望大幅提升AI系统的性能，并为未来发展提供强有力的支持。