英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆： 20μm 厚，基板电阻降低 50%

英飞凌官方近日宣布，其在处理和加工最薄的硅功率晶圆方面取得了重大进展。这款晶圆直径为30mm，厚度仅为20μm，相当于头发丝的四分之一。这一技术是目前最先进的40-60μm晶圆厚度的一半。

与基于传统硅晶圆的解决方案相比，将晶圆厚度减半可以将基板电阻降低50%，从而使得功率系统中的功率损耗减少15%以上。对于高端AI服务器应用来说，电流增加会导致能源需求上升，因此，将电压从230V降低到1.8V以下的处理器电压对于功率转换非常重要。

超薄晶圆技术大大促进了垂直功率传输设计的发展。这种设计能够实现与AI芯片处理器的高度集成，并在减少功率损耗的同时提高了整体效率。英飞凌表示该技术已获得认可，并将其应用于集成智能功率级（直流-直流转换器）中，并已经交付给首批客户。

英飞凌预测，在未来三到四年内，现有的传统晶圆技术将被低压功率转换器替代技术所取代。该公司计划在2024年慕尼黑国际电子元器件博览会上公开展示首款超薄硅晶圆产品。