美光发布36GB HBM3E内存：功耗更低 速度更快

美光公司近日宣布已完成12-Hi堆栈的高带宽内存HBM3E新一代产品，单颗容量达到了惊人的36GB。这一技术将应用于顶级人工智能（AI）和高性能计算（HPC）产品的开发，例如NVIDIA H200、B200加速卡等。据悉，这款新型内存无需频繁调用CPU即可轻松处理包含700亿参数的大模型Llama2。

值得一提的是，这款12-Hi 36GB HBM3E内存具备高达9.2Gbps的超高速率，其单颗就能提供超过1.2TB/s的惊人带宽，并且功耗比8-Hi版本更低。

此外，该产品采用台积电CoWoS封装技术制造，也就是普遍使用于NVIDIA H100、H200等加速卡的技术。这使得两者之间可以轻松搭配使用。

值得一提的是，这款新型内存支持完全可编程的MBIST(内存内置自测试)，可以模拟全速下的系统负载进行测试验证，从而加快产品的上市进程。

美光公司表示，这款12-Hi HBM3E内存已经向关键伙伴进行了验证，并且已经开始提供给这些伙伴进行进一步的验证。