突破！国内300mm SOI晶圆制造技术取得新进展

近日，中国科学院上海微系统所的魏星研究员团队在300mm SOI晶圆制造技术方面取得了突破性进展。该团队基于集成电路材料全国重点实验室300mm SOI研发平台，解决了许多核心技术难题，如低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉积、非接触式平坦化等，成功实现了国内300mm SOI制造技术的重大突破。

为了制备适用于300mm RF-SOI的低氧高阻衬底，魏星团队自主开发了耦合横向磁场的三维晶体生长传热传质模型，并首次揭示了晶体感应电流对硅熔体内对流和传热传质的影响机制以及结晶界面附近氧杂质的输运机制。这些成果分别发表在晶体学领域的顶级期刊上。

魏星团队表示，多晶硅层用作电荷俘获层是RF-SOI中提高器件射频性能的关键技术。然而，晶粒大小、取向、晶界分布、多晶硅电阻率等参数与电荷俘获性能密切相关。由于多晶硅/硅的复合结构，使得硅晶圆应力极难控制。

为了解决这一问题，魏星团队为制造适用于300mm RF-SOI晶圆的多晶硅层找到了合适的工艺窗口。他们成功实现了多晶硅层厚度、晶粒尺寸、晶向和应力的人工调节。这一突破性的进展对于我国3C电子产品的制造业具有重要意义。

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